Ilmuwan China Bikin Memori Tercepat di Dunia Poxiao: Tembus 400 Pikodetik, Bikin AI Berpikir Secepat Manusia
Sabtu, 19 April 2025 - 13:54 WIB
Tim mulai meneliti perangkat memori flash pada tahun 2015. Pada tahun 2021, mereka mengusulkan model teoretis awal, dan tahun lalu, mereka mengembangkan perangkat memori flash super cepat dengan panjang saluran 8 nanometer, melampaui batas ukuran fisik memori flash berbasis silikon, yang sekitar 15 nanometer.
Baca Juga: 5 Cara Mengatasi Memori iPhone Penuh, Simak dan Coba!
Perangkat memori flash "Poxiao" sekarang bergerak menuju produksi. Dikombinasikan dengan teknologi CMOS, chip tersebut telah berhasil dibuat pada tingkat kilobyte.
Dalam waktu lima tahun, tim berharap untuk meningkatkannya menjadi puluhan megabyte dan siap untuk dilisensikandandipasarkan.
Baca Juga: 5 Cara Mengatasi Memori iPhone Penuh, Simak dan Coba!
Perangkat memori flash "Poxiao" sekarang bergerak menuju produksi. Dikombinasikan dengan teknologi CMOS, chip tersebut telah berhasil dibuat pada tingkat kilobyte.
Dalam waktu lima tahun, tim berharap untuk meningkatkannya menjadi puluhan megabyte dan siap untuk dilisensikandandipasarkan.
(dan)
Lihat Juga :