Ilmuwan China Bikin Memori Tercepat di Dunia Poxiao: Tembus 400 Pikodetik, Bikin AI Berpikir Secepat Manusia
Sabtu, 19 April 2025 - 13:54 WIB
loading...
Memori generasi baru membaut RAM dan ROM tidak lagi bisa dibedakan. Foto: SCMP
A
A
A
CHINA - Ketika dunia sedang berlomba-lomba di kecerdasan buatan (AI), para ilmuwan China telah memecahkan kode untuk kecepatan memori yang sebelumnya dianggap mustahil: 400 pikodetik. Istimewanya lagi, itu dicapai dalam memori seukuran butiran beras.
Para peneliti di Universitas Fudan baru saja memamerkan Poxiao atau Dawn, memori flash tercepat yang pernah dibuat. Memori itu dapat menghapus dan menulis ulang data dalam 400 pikodetik. Satu pikodetik adalah satu per triliun detik.
Meski purwarupa yang ada hanya menyimpan dalam ukuran kilobyte, desain revolusionernya menghancurkan hambatan kecepatan penyimpanan modern hingga 100.000 kali lipat, menjanjikan masa depan di mana otak AI dapat membaca dan menulis secepat mereka berpikir.
Diterbitkan dalam jurnal Nature, lompatan dalam fisika elektron ini mungkin akan segera mengaburkan garis antara memori dan komputasi.
Mengatasi batas kecepatan penyimpanan informasi telah lama menjadi salah satu tantangan paling mendasar di bidang sirkuit terpadu. Juga, merupakan hambatan teknis utama yang membatasi potensi daya komputasi AI.
Arsitektur penyimpanan yang ada memiliki keterbatasan. Sementara memori volatil – seperti SRAM dan DRAM – menawarkan kecepatan tinggi, tapi kapasitas rendah, konsumsi daya tinggi, biaya manufaktur tinggi, dan kehilangan data saat daya terputus.
Memori non-volatil – seperti penyimpanan flash – menawarkan kapasitas lebih besar, konsumsi daya lebih rendah, persistensi data, tetapi jauh tertinggal dalam kecepatan.
Tim peneliti bertujuan untuk mempercepat memori flash – memanfaatkan keunggulannya sambil mengatasi keterbatasan kecepatannya.
Para peneliti memperkenalkan pendekatan baru untuk mempercepat memori flash, memungkinkan elektron untuk langsung beralih dari keadaan kecepatan rendah ke kecepatan tinggi tanpa memerlukan fase "pemanasan".
Dalam pengujian, kecepatan hapus-tulis mencapai 400 pikodetik, melampaui memori volatil tercepat di dunia, SRAM, pada node teknologi yang sama. Dibandingkan dengan ratusan mikrodetik memori flash biasa, kecepatan meningkat lebih dari 100.000 kali lipat.
“Berdasarkan teknologi ini, komputer pribadi masa depan mungkin tidak perlu lagi membedakan antara memori dan penyimpanan eksternal, menghilangkan kebutuhan akan sistem penyimpanan hierarkis, dan memungkinkan penerapan lokal model AI besar," tulis laporan tim penelit.
Tim mulai meneliti perangkat memori flash pada tahun 2015. Pada tahun 2021, mereka mengusulkan model teoretis awal, dan tahun lalu, mereka mengembangkan perangkat memori flash super cepat dengan panjang saluran 8 nanometer, melampaui batas ukuran fisik memori flash berbasis silikon, yang sekitar 15 nanometer.
Baca Juga: 5 Cara Mengatasi Memori iPhone Penuh, Simak dan Coba!
Perangkat memori flash "Poxiao" sekarang bergerak menuju produksi. Dikombinasikan dengan teknologi CMOS, chip tersebut telah berhasil dibuat pada tingkat kilobyte.
Dalam waktu lima tahun, tim berharap untuk meningkatkannya menjadi puluhan megabyte dan siap untuk dilisensikandandipasarkan.
Para peneliti di Universitas Fudan baru saja memamerkan Poxiao atau Dawn, memori flash tercepat yang pernah dibuat. Memori itu dapat menghapus dan menulis ulang data dalam 400 pikodetik. Satu pikodetik adalah satu per triliun detik.
Meski purwarupa yang ada hanya menyimpan dalam ukuran kilobyte, desain revolusionernya menghancurkan hambatan kecepatan penyimpanan modern hingga 100.000 kali lipat, menjanjikan masa depan di mana otak AI dapat membaca dan menulis secepat mereka berpikir.
Diterbitkan dalam jurnal Nature, lompatan dalam fisika elektron ini mungkin akan segera mengaburkan garis antara memori dan komputasi.
Mengatasi batas kecepatan penyimpanan informasi telah lama menjadi salah satu tantangan paling mendasar di bidang sirkuit terpadu. Juga, merupakan hambatan teknis utama yang membatasi potensi daya komputasi AI.
Arsitektur penyimpanan yang ada memiliki keterbatasan. Sementara memori volatil – seperti SRAM dan DRAM – menawarkan kecepatan tinggi, tapi kapasitas rendah, konsumsi daya tinggi, biaya manufaktur tinggi, dan kehilangan data saat daya terputus.
Memori non-volatil – seperti penyimpanan flash – menawarkan kapasitas lebih besar, konsumsi daya lebih rendah, persistensi data, tetapi jauh tertinggal dalam kecepatan.
Tim peneliti bertujuan untuk mempercepat memori flash – memanfaatkan keunggulannya sambil mengatasi keterbatasan kecepatannya.
Para peneliti memperkenalkan pendekatan baru untuk mempercepat memori flash, memungkinkan elektron untuk langsung beralih dari keadaan kecepatan rendah ke kecepatan tinggi tanpa memerlukan fase "pemanasan".
Dalam pengujian, kecepatan hapus-tulis mencapai 400 pikodetik, melampaui memori volatil tercepat di dunia, SRAM, pada node teknologi yang sama. Dibandingkan dengan ratusan mikrodetik memori flash biasa, kecepatan meningkat lebih dari 100.000 kali lipat.
“Berdasarkan teknologi ini, komputer pribadi masa depan mungkin tidak perlu lagi membedakan antara memori dan penyimpanan eksternal, menghilangkan kebutuhan akan sistem penyimpanan hierarkis, dan memungkinkan penerapan lokal model AI besar," tulis laporan tim penelit.
Tim mulai meneliti perangkat memori flash pada tahun 2015. Pada tahun 2021, mereka mengusulkan model teoretis awal, dan tahun lalu, mereka mengembangkan perangkat memori flash super cepat dengan panjang saluran 8 nanometer, melampaui batas ukuran fisik memori flash berbasis silikon, yang sekitar 15 nanometer.
Baca Juga: 5 Cara Mengatasi Memori iPhone Penuh, Simak dan Coba!
Perangkat memori flash "Poxiao" sekarang bergerak menuju produksi. Dikombinasikan dengan teknologi CMOS, chip tersebut telah berhasil dibuat pada tingkat kilobyte.
Dalam waktu lima tahun, tim berharap untuk meningkatkannya menjadi puluhan megabyte dan siap untuk dilisensikandandipasarkan.
(dan)
Lihat Juga :
