Ilmuwan China Bikin Memori Tercepat di Dunia Poxiao: Tembus 400 Pikodetik, Bikin AI Berpikir Secepat Manusia

Arsitektur penyimpanan yang ada memiliki keterbatasan. Sementara memori volatil – seperti SRAM dan DRAM – menawarkan kecepatan tinggi, tapi kapasitas rendah, konsumsi daya tinggi, biaya manufaktur tinggi, dan kehilangan data saat daya terputus.

Memori non-volatil – seperti penyimpanan flash – menawarkan kapasitas lebih besar, konsumsi daya lebih rendah, persistensi data, tetapi jauh tertinggal dalam kecepatan.

Tim peneliti bertujuan untuk mempercepat memori flash – memanfaatkan keunggulannya sambil mengatasi keterbatasan kecepatannya.

Para peneliti memperkenalkan pendekatan baru untuk mempercepat memori flash, memungkinkan elektron untuk langsung beralih dari keadaan kecepatan rendah ke kecepatan tinggi tanpa memerlukan fase "pemanasan".

Dalam pengujian, kecepatan hapus-tulis mencapai 400 pikodetik, melampaui memori volatil tercepat di dunia, SRAM, pada node teknologi yang sama. Dibandingkan dengan ratusan mikrodetik memori flash biasa, kecepatan meningkat lebih dari 100.000 kali lipat.

“Berdasarkan teknologi ini, komputer pribadi masa depan mungkin tidak perlu lagi membedakan antara memori dan penyimpanan eksternal, menghilangkan kebutuhan akan sistem penyimpanan hierarkis, dan memungkinkan penerapan lokal model AI besar," tulis laporan tim penelit.