Pejabat Xiaomi Beri Kabar Akan Dongkrak Kecepatan Pengisian Daya Mi 9
Rabu, 16 Januari 2019 - 14:00 WIB
Pejabat Xiaomi Beri Kabar Akan Dongkrak Kecepatan Pengisian Daya Mi 9
A
A
A
BEIJING - Pejabat teras atau CEO Xiaomi, Lei Jun, belum lama ini mem-posting kabar di Weibo, bahwa Redmi Note 7 mendukung QuickCharge 4 (hingga 18W). Ini yang pertama dari model sebelumnya di atas 10W.
Namun ketika ditanya apakah Xiaomi Mi 9 akan mendukung pengisian daya 24W, sang pejabat menjawab, ponsel flagship harus memiliki pengisian daya yang lebih baik.
Laman Phone Arena, Rabu (16/1/20190), menyebutkan, spesifikasi yang bocor mengklaim pengisian cepat 32W untuk Mi 9. Hanya tidak ada penyebutan pengisian nirkabel.
Nah membaca pernyataan Lei Jun, maka bisa dipahami bahwa Xiaomi memang menyiapkan pengisian daya cepat 24W. Ini lebih baik dari teknologi 18W di Redmi Note 7 dan Mi Mix 3.
Untuk catatan 32W bukan angka acak tapi cocok dengan QuickCharge 5 yang diluncurkan akhir tahun lalu. Untuk menjaga ponsel tetap dingin saat mengisi daya, ponsel akan naik dari pengisian ganda saat ini menjadi jalur daya dari dua (QC4) menjadi tiga (QC5).
Menariknya, Snapdragon 855 secara resmi hanya mendukung QC4 +. Sepekan lalu sebuah Xiaomi "Cepheus" bertenaga SD855 melewati GeekBench dan industri percaya itu adalah Mi 9. Namun, dukungan QC5 mungkin bersembunyi di balik pembaruan firmware dan saat ini tidak banyak ponsel SD855 di pasaran.
Namun ketika ditanya apakah Xiaomi Mi 9 akan mendukung pengisian daya 24W, sang pejabat menjawab, ponsel flagship harus memiliki pengisian daya yang lebih baik.
Laman Phone Arena, Rabu (16/1/20190), menyebutkan, spesifikasi yang bocor mengklaim pengisian cepat 32W untuk Mi 9. Hanya tidak ada penyebutan pengisian nirkabel.
Nah membaca pernyataan Lei Jun, maka bisa dipahami bahwa Xiaomi memang menyiapkan pengisian daya cepat 24W. Ini lebih baik dari teknologi 18W di Redmi Note 7 dan Mi Mix 3.
Untuk catatan 32W bukan angka acak tapi cocok dengan QuickCharge 5 yang diluncurkan akhir tahun lalu. Untuk menjaga ponsel tetap dingin saat mengisi daya, ponsel akan naik dari pengisian ganda saat ini menjadi jalur daya dari dua (QC4) menjadi tiga (QC5).
Menariknya, Snapdragon 855 secara resmi hanya mendukung QC4 +. Sepekan lalu sebuah Xiaomi "Cepheus" bertenaga SD855 melewati GeekBench dan industri percaya itu adalah Mi 9. Namun, dukungan QC5 mungkin bersembunyi di balik pembaruan firmware dan saat ini tidak banyak ponsel SD855 di pasaran.
(mim)
